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南亞科技學校財團法人南亞技術學院 / 機械工程系 / 王士榮

晶圓封裝裝置與晶圓封裝方法


研發成果與簡介
一種晶圓封裝裝置,包括密閉腔體、承載台、軟質片體以及大氣進氣控制閥。

優勢及應用範圍

密閉腔體包括真空槽體及蓋體,真空槽體具有容置槽及上開口,蓋體對應蓋合於真空槽體之上開口以密閉容置槽,真空槽體開設有抽真空口,蓋體開設有一進氣口。承載台設置於真空槽體之容置槽內,承載台包括有晶圓封裝區。軟質片體設置於密閉腔體內部,軟質片體包括外環部及中央部,外環部氣密地固設於蓋體,中央部對應覆蓋著進氣口,且中央部對應於承載台之晶圓封裝區。大氣進氣控制閥連通於進氣口,大氣進氣控制閥能控制外部大氣氣體流經進氣口進入密閉腔體內的流量。

晶圓前端製程(Front-end processing),表面是很脆弱,例如微機電系統(Micro-electromechanical Systems,MEMS),在進行減薄時,晶圓正面須得到良好的保護,在減薄過程晶圓變得易碎,脆弱,在製程時為了避免影響晶圓的可靠度以及良率必須採用暫時接合製程(Temporary bonding),進行後續的加工。

目前常使用使用的方式是在大氣環境或真空環境,使用平面家紹軟質墊片材料(US4316757A) ( US 3475867 A)或是氣囊,在臘加熱到溶解狀態時壓合晶片,此種方式容易產生較大氣泡(<1mm), 容易使晶片產生內應力,或是不均勻的壓合以及夾著過多氣泡,這於後續加工時容易發生缺陷。

本研究係在真空腔體內,將已經上蠟晶片與載片,改成在真空環境內用軟質壓合面壓合,其軟質壓合面可以控制通大氣的時間與速率,以期能在壓合過程中控制蠟(Wax)的玻璃轉移溫度(Glass Transition Temperature,Tg)以及熔點時間,加上控制晶片與基板的壓合速率與殘留氣泡大小以及平坦度結果。

技術聯絡人
南亞科技學校財團法人南亞技術學院 / 王士榮 / 0926-927-388