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健行學校財團法人健行科技大學 / 電子工程系(所) / 黃至堯

具基座外接電阻之靜電電晶體


研發成果與簡介
金氧半場效電晶體其基底/井區接觸點使用短路 (Butting) 與置入 (Inserted) 型接觸佈局會引起基底電阻短路效應而嚴重降低靜電強健度。本研發針對這種佈局限制議題發展外接的井區/擴散層電阻嵌入在NMOS基底本體與接地端,可以大幅改善置入型接觸的靜電防護性能。

優勢及應用範圍

本研發成果已獲得台灣發明專利、證號 I593078 “具基座外接電阻之靜電防護金氧半場效電晶體及其製造方法”。

優勢:

  1. 具外接電阻基底接觸點設計在0.18µm 1.8V製程下實驗發展成功。
  2. 最佳化設計經人體放電模式靜電量測證實,測量結果證實1.8V置入型接觸的二次崩潰電流提升2.7~2.9倍、人體放電模式靜電防護能力提升2.3~3.2倍,而3.3V置入型接觸二次崩潰電流提高2.2倍、人體放電模式靜電耐受度更提升10倍。
  3. 本作法完全無需增加製程步驟,佈局面積僅增加6.8% 額外的成本。

應用範圍:

1. 積體電路產品的靜電放電保護電路設計

2. 積體電路產品工程

3. 品質可靠度工程

4. 半導體元件工程

技術聯絡人
健行學校財團法人健行科技大學 / 黃至堯 / 03-4581196分機 5119