IACI Logo

教育部產學合作資訊網

Industry-Academy Cooperation Information

健行學校財團法人健行科技大學 / 電子工程系(所) / 黃至堯

內嵌PMOS靜電的雙極電晶體


研發成果與簡介
本研發成果主要提供一種能夠在互補金氧半製程中,具備高於操作電壓之保持電壓的整合矽控整流器雙極電晶體電路。

優勢及應用範圍

所述整合矽控整流器雙極電晶體電路係由含有浮接P+擴散區域或浮接N+擴散區域的雙極電晶體結構,與作為開關的金氧半電晶體閘極覆蓋前述浮接區域所構成,另外閘極進一步與電阻電容電路耦合;雙極電晶體其基本設計參數為陽極⁄陰極和浮接P+⁄N+擴散區域間距L,以及浮接P+⁄N+擴散區域的寬度W。依據靜電打擊或正常操作情況以決定導通金氧半開關與否調整增加減短浮接擴散區域寬度W。藉由調整在此電路中金氧半電晶體的通道長度和它的汲源極範圍尺寸,在靜電打擊時可以增加浮接P型區域寬度,在正常操作狀態維持狹窄浮接P型區域,得到先天優良的靜電強健度和免除栓鎖的保持電壓。本研發成果已獲得台灣發明專利證號 I474465 “整合矽控整流器雙極電晶體電路”。

 

優勢:

  1. 具有RC閘級耦合/內嵌浮接 PMOS整合矽控整流器的雙極電晶體在0.18µm 3.3V製程下實驗發展成功。
  2. 浮接 PMOS 藉由閘級長度及浮接寬度提供靜電與鎖定間的調變最佳化。
  3. 最佳的成果展現與矽控整流器相同的靜電強度與1.9倍的鎖定免疫力,目前全世界其他作法均無法達到這兩樣特性目標值。

 

應用範圍:

1. 積體電路產品的靜電放電保護電路設計

2. 積體電路產品工程

3. 品質可靠度工程

4. 半導體元件工程

技術聯絡人
健行學校財團法人健行科技大學 / 黃至堯 / 03-4581196分機 5119