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健行學校財團法人健行科技大學 / 電子工程系(所) / 黃至堯

靜電防護結構


研發成果與簡介
互補金氧半製程中金氧半電晶體的短路/置入型井區基底接觸點佈局會因為等效基底電阻短路而嚴重危害其靜電防護強度,因此本研發對此佈局限制議題發展新的基底接觸點設計型態。在多指狀N型電晶體中沿通道寬度方向的分散式島狀基底接觸點設計可以大幅度改善其靜電防護能力,本研發成果已獲得台灣發明專利、證號 I449157 “靜電防護結構”。

優勢及應用範圍

優勢:

  1. 分散式島狀基底接觸點設計在0.18µm 1.8、3.3V製程下實驗發展成功。
  2. 最佳化設計經人體放電模式靜電量測證實,在短路接觸型1.8V NMOS方面靜電防護臨界點提高2倍左右,在短路接觸型3.3V提高18% ~ 6倍,在置入型1.8V提高2.4 ~ 2.9倍、3.3V靜電能力提高13% ~ 6倍。短路接觸型1.8V的二次崩潰電流提高58 ~ 66%、置入型1.8、3.3V的二次崩潰電流提高2.8倍。
  3. 本作法完全無需增加製程步驟或佈局面積,沒有額外的成本花費。

應用範圍:

1. 積體電路產品的靜電放電保護電路設計

2. 積體電路產品工程

3. 品質可靠度工程

4. 半導體元件工程

技術聯絡人
健行學校財團法人健行科技大學 / 黃至堯 / 03-4581196分機 5119